机译:使用NMOS,晶闸管和二极管器件的输入ESD保护方案的比较研究
机译:对输入引脚ESD保护器件的研究。 MM和HBM测试下二极管,横向双极晶体管和晶闸管的放电特性
机译:深入了解纳米级漏极扩展NMOS(DeNMOS)器件的ESD行为:第二部分(二维研究-与NMOS的偏置和比较)
机译:在Mm和Hbm测试下用于二极管,横向双极晶体管和晶闸管的输入引脚放电特性的ESD保护装置的研究
机译:新型基于硅的可控整流器(SCR)的器件的设计,表征和紧凑模型,用于集成电路中的静电放电(ESD)保护应用。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:CMOS RF IC的仅晶闸管输入ESD保护方案